IRFBG30

Name: TIRFBG30 TIRFBG30
Brand: Vishay
SKU: TIRFBG30
Price: 0.8079 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFBG30

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 5Ohm; 3.1A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFBG30PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

93 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5348	1,0748	0,8603	0,8198	0,8079

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1350 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8079

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF Gehäuse: TO220

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550 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8079

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFBG30PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8079

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	3,1A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT