IRFD024

Name: TIRFD024 TIRFD024
Brand: Vishay
SKU: TIRFD024
Price: 0.4480 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFD024

Gehäuse: PDIP04HVMDIP

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 2,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD024PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9414	0,6911	0,5529	0,4743	0,4480

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD024PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Externes Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5079

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD024PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Externes Lager:

2100 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4480

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT