IRFD120

Name: TIRFD120 TIRFD120
Brand: Vishay
SKU: TIRFD120
Price: 0.3579 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFD120

Gehäuse: PDIP04HVMDIP

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD120PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD120 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7245	0,4552	0,3765	0,3360	0,3146

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD120PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3579

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT