IRFD210

Symbol Micros: TIRFD210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 600mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFD210PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD210 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5815 0,3223 0,2545 0,2405 0,2321
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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