IRFD9014

Symbol Micros: TIRFD9014

Gehäuse: PDIP04HVMDIP

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9014PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9014PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP

Externes Lager:

5980 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2624

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	PDIP04HVMDIP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT