IRFD9110

Symbol Micros: TIRFD9110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 700mA; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD9110 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5721 0,3176 0,2499 0,2359 0,2288
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9110PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
1100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2966
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT