IRFD9110
Symbol Micros:
TIRFD9110
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFD9110 RoHS
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5728 | 0,3180 | 0,2502 | 0,2361 | 0,2291 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | PDIP04HVMDIP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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