IRFD9120

Symbol Micros: TIRFD9120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFD9120PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFD9120PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
67 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 100+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,8010 0,5044 0,4063 0,3760 0,3479
Standard-Verpackung:
100/600
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9120PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3479
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT