IRFD9210

Symbol Micros: TIRFD9210
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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P-MOSFET 0.4A 200V 1W 3Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9210PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7949 0,5003 0,4138 0,3694 0,3460
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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