IRFD9220

Symbol Micros: TIRFD9220
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
P-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 560mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFD9220PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 560mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9220PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,4694 0,3900 0,3456 0,3246
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFD9220PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
7400 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3489
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 560mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT