IRFH5006TRPBF

Symbol Micros: TIRFH5006
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,1 mOhm; 21A; 3,6 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFH5006TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFH5006TRPBF Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)  
Externes Lager:
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Nettopreis (EUR) 0,6696
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,6W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD