IRFH5020
Symbol Micros:
TIRFH5020
Gehäuse:
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 55mOhm; 5.1A; 3,6 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFH5020TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,6W |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFH5020TRPBF
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5468 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,6W |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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