IRFH7932TRPBF International Rectifier
Symbol Micros:
TIRFH7932
Gehäuse: PQFN56 (5x6mm)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,9 mOhm; 25A; 3,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 25A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,4W |
Gehäuse: | PQFN56 (5x6mm) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 25A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,4W |
Gehäuse: | PQFN56 (5x6mm) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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