IRFH8321

Symbol Micros: TIRFH8321
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: QFN-08
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,8 mOhm; 21A; 3,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFH8321TRPBF; IRFH8321PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,8mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,4W
Gehäuse: QFN-08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFH8321TR RoHS Gehäuse: QFN-08 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7309 0,4624 0,3643 0,3316 0,3176
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 6,8mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 3,4W
Gehäuse: QFN-08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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