IRFHM9331 Infineon

Symbol Micros: TIRFHM9331
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
P-MOSFET 30V 14,6mΩ 2.8W IRFM9331TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD