IRFI1010NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFI1010n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 49A; 58W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI1010NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2657 0,9644 0,7986 0,7006 0,6655
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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