IRFI1010NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFI1010n
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Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 55V 49A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI1010NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2672 0,9656 0,7996 0,7014 0,6663
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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