IRFI1310N
Symbol Micros:
TIRFI1310n
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 36mOhm; 24A; 56W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI1310NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFI1310N RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1139 | 0,7800 | 0,6632 | 0,6072 | 0,5861 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI1310NPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
10407 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5861 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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