IRFI3205

Symbol Micros: TIRFI3205
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 64A; 63W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI3205PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI3205 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2838 1,7537 1,4899 1,4572 1,4268
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI3205PBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2905 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4268
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFI3205PBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
570 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4268
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT