IRFI4019H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4019h-117p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220/5Q iso
2xN-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 95mOhm; 8,7A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI4019HG-117P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4019H-117P RoHS Gehäuse: TO220/5Q iso Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 2+ 5+ 10+ 26+
Nettopreis (EUR) 2,1717 1,8588 1,5949 1,4688 1,3567
Standard-Verpackung:
26
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Gehäuse: TO220/5Q iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT