IRFI4212H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4212h-117p

Gehäuse: TO220/5Q iso

2xN-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72,5 mOhm; 11A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4212H-117PXKMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	72,5mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	18W
Gehäuse:	TO220/5Q iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	72,5mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	18W
Gehäuse:	TO220/5Q iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT