IRFI4227PBF

Symbol Micros: TIRFI4227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 26A; 46W; -40°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4227 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 1,6160 1,2680 1,0695 1,0041 0,9504
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4227 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 38+
Nettopreis (EUR) 1,6160 1,2610 1,0578 0,9925 0,9504
Standard-Verpackung:
38
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT