IRFI4410ZPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFI4410z

Gehäuse: TO220FP

N-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 9,3 mOhm; 43A; 47W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	47W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	47W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT