IRFI520GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI520g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 7,2A; 37W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI520GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8010 0,5067 0,3993 0,3643 0,3479
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI520GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 750+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3479
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole