IRFI530N
Symbol Micros:
TIRFI530n
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 12A; 41W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI530NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 41W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFI530N RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
189 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7029 | 0,4460 | 0,3526 | 0,3176 | 0,3059 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI530NPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2710 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5080 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFI530NPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
450 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7318 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 41W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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