IRFI620GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFI620g
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 200V 4.1A 30W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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