IRFI620GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI620g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 4.1A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI620GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7457 0,4724 0,3717 0,3381 0,3237
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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