IRFI640GPBF Vishay

Name: TIRFI640g TIRFI640g
Brand: -
SKU: TIRFI640g
Price: 0.6492 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFI640g

Gehäuse: TO220FP

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 180 mOhm; 9,8A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	9,8A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2330	0,9411	0,7800	0,6819	0,6492

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7002

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

660 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7212

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFI640GPBF Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6492

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	9,8A
Maximaler Leistungsverlust:	40W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT