IRFI644GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFI644g
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 280 mOhm; 7,9A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF RoHS
Gehäuse: TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,2565 | 0,9601 | 0,7942 | 0,6970 | 0,6614 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI644GPBF
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
920 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7172 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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