IRFI730GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI730g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 3,7A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI730GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0252 0,7519 0,6025 0,5184 0,4881
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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