IRFI830GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI830g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 500V 3.1A 35W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI830GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2438 0,9492 0,7855 0,6897 0,6546
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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