IRFI840
Symbol Micros:
TIRFI840
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 4,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI840GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFI840G RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5482 | 1,1489 | 0,9551 | 0,9317 | 0,9107 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
11750 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9107 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
590 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,9107 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI840GLCPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
495 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9107 |
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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