IRFI840

Symbol Micros: TIRFI840
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 4,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI840GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI840G RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5482 1,1489 0,9551 0,9317 0,9107
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
11750 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9107
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI840GPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
590 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9107
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFI840GLCPBF Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
495 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9107
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT