IRFI840GLCPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFI840glc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 850 mOhm; 4,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFI840GLCPBF RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5693 1,2517 1,0695 0,9621 0,9224
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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