IRFI9530G
Symbol Micros:
TIRFI9530
Gehäuse: TO220iso
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFI9530GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9808 | 0,7192 | 0,5768 | 0,4951 | 0,4670 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
4400 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5558 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1904 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,5250 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFI9530GPBF
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
650 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4824 |
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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