IRFI9630GPBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFI9630g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
P-MOSFET 200V 4.3A 35W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI9630GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0567 0,7739 0,6219 0,5330 0,5027
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT