IRFIBC20GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC20g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 600V 1.7A 30W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC20GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0217 0,7505 0,6008 0,5167 0,4863
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT