IRFIBC20GPBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFIBC20g
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 1,7A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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