IRFIBC30GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC30g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 600V 2.5A 35W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC30GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1105 0,8487 0,7014 0,6149 0,5845
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT