IRFIBC30GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC30g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 2,2 Ohm; 2,5A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC30GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1092 0,8477 0,7006 0,6142 0,5838
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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