IRFIBC40GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC40g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 600V 3.5A 40W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC40GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4565 1,1129 0,9211 0,8066 0,7668
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT