IRFIBC40GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBC40g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 1,2 Ohm; 3,5A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC40GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4548 1,1116 0,9201 0,8056 0,7659
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBC40GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
472 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8721
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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