IRFIBE30GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIBE30g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 800V 2.1A 35W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIBE30GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4659 1,0263 0,8720 0,7972 0,7715
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT