IRFIZ24NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ24n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 55V 14A 29W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFIZ24NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7692 0,4863 0,3834 0,3507 0,3343
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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