IRFIZ34NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ34n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 55V 21A 37W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFIZ34NPBF RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8487 0,5377 0,4255 0,3858 0,3694
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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