IRFIZ46NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ46n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 55V 33A 45W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFIZ46N RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0357 0,7598 0,6102 0,5237 0,4933
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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