IRFIZ48GPBF Vishay

Symbol Micros: TIRFIZ48g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 37A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFIZ48GPBF RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5210 1,2126 1,0397 0,9322 0,8948
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIZ48GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
6650 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8948
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFIZ48GPBF Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
1490 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8948
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT