IRFIZ48NPBF Infineon

Symbol Micros: TIRFIZ48n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16mOhm; 40A; 54W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT