IRFL024N

Symbol Micros: TIRFL024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 75 mOhm; 4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL024NTRPBF; IRFL024NPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL024NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5642 0,3124 0,2471 0,2329 0,2254
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2254
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL024NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
1850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2254
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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