IRFL110
Symbol Micros:
TIRFL110
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL110PBF-GURT; IRFL110TRPBF; IRFL110TRPBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2215 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2215 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2215 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5549 | 0,3357 | 0,2588 | 0,2327 | 0,2215 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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