IRFL110

Symbol Micros: TIRFL110

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL110PBF-GURT; IRFL110TRPBF; IRFL110TRPBF-BE3;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL110TR RoHS FB. Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7112	0,4492	0,3556	0,3228	0,3088

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

12500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3088

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3088

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

9700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3088

Widerstand im offenen Kanal:	540mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD