IRFL210
Symbol Micros:
TIRFL210
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 1,5 Ohm; 960mA; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL210PBF; IRFL210TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 960mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFL210 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5409 | 0,3427 | 0,2704 | 0,2471 | 0,2355 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL210TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2355 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFL210TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2367 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 960mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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