IRFL4105
Symbol Micros:
TIRFL4105
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 5,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4105PBF-GURT; IRFL4105TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TR RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
185 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9326 | 0,5922 | 0,4663 | 0,4220 | 0,4057 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
12500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4057 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFL4105TRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
1450 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4057 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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