IRFL4315TRPBF

Symbol Micros: TIRFL4315

Gehäuse: SOT223

N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 185 mOhm; 2,6A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4315PBF; IRFL4315TRPBF; IRFL4315;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL4315PBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9256	0,6155	0,5082	0,4593	0,4406

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4315TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4406

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4315TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4406

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD