IRFL9014

Symbol Micros: TIRFL9014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET 1.8A 60V 3W 0.5Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9014TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1837 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6316 0,4009 0,3170 0,2890 0,2750
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole