IRFL9014

Symbol Micros: TIRFL9014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9014TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
72 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5833 0,3537 0,2717 0,2460 0,2335
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9014TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2335
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFL9014TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5700 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2335
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-01-24
Anzahl Stück: 2500
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD