IRFP048N

Symbol Micros: TIRFP048
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET HEXFET 64A 55V 140W 0.016Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP048N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2297 0,8627 0,7201 0,6686 0,6476
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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