IRFP054N

Symbol Micros: TIRFP054
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 81A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP054NPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 81A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP054NPBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9434 1,4931 1,3094 1,2427 1,2152
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 81A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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