IRFP064NPBF

Symbol Micros: TIRFP064n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP064NPBF; IRFP064N;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP064N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9935 1,5817 1,4156 1,3430 1,3290
Standard-Verpackung:
25/150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3290
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
7498 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3290
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP064NPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
225 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3290
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT